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制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
描述：MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的2SK4150TZ-E，现有足量库存。2SK4150TZ-E的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；同时斯普仑现货为您提供2SK4150TZ-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SK4150TZ-E的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的2SK4150TZ-E，现有足量库存。2SK4150TZ-E的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；同时斯普仑现货为您提供2SK4150TZ-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SK4150TZ-E的详细使用方法及教程。
| 2SK4150TZ-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 2SK4150TZ-E |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 400MA TO92 |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 1459 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.7 欧姆 @ 200mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.7 nC @ 4 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
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