IRFH7110TRPBF规格参数_irfh7110trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH7110TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-TQFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN

5547 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH7110TRPBF，现有足量库存。IRFH7110TRPBF的封装/规格参数为:8-TQFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IRFH7110TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH7110TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH7110TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH7110TRPBF
描述	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	5547
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3240 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-TQFN 裸露焊盘

IRFH7110TRPBF

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