欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

GA05JT12-263

制造商:GeneSiC Semiconductor

封装外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

描述:TRANS SJT 1200V 15A D2PAK

4037 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA05JT12-263,现有足量库存。GA05JT12-263的封装/规格参数为:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;同时斯普仑现货为您提供GA05JT12-263数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GA05JT12-263的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA05JT12-263,现有足量库存。GA05JT12-263的封装/规格参数为:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;同时斯普仑现货为您提供GA05JT12-263数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GA05JT12-263的详细使用方法及教程。

GA05JT12-263产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GA05JT12-263
描述 TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 4037
系列 -
包装 管件
FET 类型 -
技术 SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 106W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

为智能时代加速到来而付出“真芯”