STFI11NM65N规格参数_stfi11nm65n现货热销【斯普仑】

STFI11NM65N

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-262-3 整包，I²Pak

描述：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

1652 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STFI11NM65N，现有足量库存。STFI11NM65N的封装/规格参数为:TO-262-3 整包，I²Pak；同时斯普仑现货为您提供STFI11NM65N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STFI11NM65N的详细使用方法及教程。

STFI11NM65N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STFI11NM65N
描述	MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
制造商	STMicroelectronics
库存	1652
系列	MDmesh™ II
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	455 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	800 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	25W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAKFP（TO-281）
封装/外壳	TO-262-3 整包，I²Pak

STFI11NM65N

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