FDFME3N311ZT规格参数_fdfme3n311zt现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：6-UFDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

4578 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDFME3N311ZT，现有足量库存。FDFME3N311ZT的封装/规格参数为:6-UFDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供FDFME3N311ZT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDFME3N311ZT的详细使用方法及教程。

FDFME3N311ZT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDFME3N311ZT
描述	MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
制造商	onsemi
库存	4578
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	299 毫欧 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	75 pF @ 15 V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）	1.4W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-MicroFET（1.6x1.6）
封装/外壳	6-UFDFN 裸露焊盘