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2N7636-GA

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-276AA

描述：TRANS SJT 650V 4A TO276

4521 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的2N7636-GA，现有足量库存。2N7636-GA的封装/规格参数为:TO-276AA；同时斯普仑现货为您提供2N7636-GA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7636-GA的详细使用方法及教程。

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2N7636-GA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N7636-GA
描述 TRANS SJT 650V 4A TO276
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 4521
系列 -
包装 散装
FET 类型 -
技术 SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Tc）（165°C）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 415 毫欧 @ 4A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 324 pF @ 35 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-276
封装/外壳 TO-276AA

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