欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

2N7635-GA

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-257-3

描述：TRANS SJT 650V 4A TO257

1789 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的2N7635-GA，现有足量库存。2N7635-GA的封装/规格参数为:TO-257-3；同时斯普仑现货为您提供2N7635-GA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7635-GA的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的2N7635-GA，现有足量库存。2N7635-GA的封装/规格参数为:TO-257-3；同时斯普仑现货为您提供2N7635-GA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7635-GA的详细使用方法及教程。

2N7635-GA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N7635-GA
描述 TRANS SJT 650V 4A TO257
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 1789
系列 -
包装 散装
FET 类型 -
技术 SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Tc）（165°C）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 415 毫欧 @ 4A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 324 pF @ 35 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 47W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-257
封装/外壳 TO-257-3

猜您喜欢

GeneSiC Semiconductor

G15

GeneSiC Semiconductor

E3M0065090D

GeneSiC Semiconductor

C2M0080170P

GeneSiC Semiconductor

CPMF-1200-S160B

GeneSiC Semiconductor

CPMF-1200-S080B

GeneSiC Semiconductor

CPM2-1200-0160B

GeneSiC Semiconductor

CPM2-1200-0080B

GeneSiC Semiconductor

BUK7Y25-80E/GFX

GeneSiC Semiconductor

BUK7Y25-80E/CX

GeneSiC Semiconductor

PSMN7R6-60XSQ

GeneSiC Semiconductor

BUK761R5-40EJ

GeneSiC Semiconductor

PSMN8R5-108ESQ

GeneSiC Semiconductor

PSMN3R9-60XSQ

GeneSiC Semiconductor

BUK9C1R3-40EJ

GeneSiC Semiconductor

BUK951R8-40EQ

GeneSiC Semiconductor

PMT760EN,115

GeneSiC Semiconductor

PMT200EN,115

GeneSiC Semiconductor

BUK9C5R3-100EJ

GeneSiC Semiconductor

BUK9C3R8-80EJ

GeneSiC Semiconductor

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”