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IXTP05N100P

制造商:IXYS

封装外壳:TO-220-3

描述:MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB

1888 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTP05N100P,现有足量库存。IXTP05N100P的封装/规格参数为:TO-220-3;同时斯普仑现货为您提供IXTP05N100P数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IXTP05N100P的详细使用方法及教程。

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IXTP05N100P产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IXTP05N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
制造商 IXYS
库存 1888
系列 Polar
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 196 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”