AUIRL7766M2TR规格参数_auirl7766m2tr现货热销【斯普仑】

AUIRL7766M2TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等距 M4

描述：MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

8714 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRL7766M2TR，现有足量库存。AUIRL7766M2TR的封装/规格参数为:DirectFET™ 等距 M4；同时斯普仑现货为您提供AUIRL7766M2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AUIRL7766M2TR的详细使用方法及教程。

AUIRL7766M2TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AUIRL7766M2TR
描述	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	8714
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	66 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5305 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DirectFET™ 等距 M4
封装/外壳	DirectFET™ 等距 M4

AUIRL7766M2TR

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