RP1H065SPTR规格参数_rp1h065sptr现货热销【斯普仑】

RP1H065SPTR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6

5530 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RP1H065SPTR，现有足量库存。RP1H065SPTR的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供RP1H065SPTR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RP1H065SPTR的详细使用方法及教程。

RP1H065SPTR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RP1H065SPTR
描述	MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
制造商	Rohm Semiconductor
库存	5530
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	31 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3200 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MPT6
封装/外壳	6-SMD，扁平引线

RP1H065SPTR

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