NTMFS4833NST1G规格参数_ntmfs4833nst1g现货热销【斯普仑】

NTMFS4833NST1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL

3712 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS4833NST1G，现有足量库存。NTMFS4833NST1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMFS4833NST1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFS4833NST1G的详细使用方法及教程。

NTMFS4833NST1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFS4833NST1G
描述	MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
制造商	onsemi
库存	3712
系列	SENSEFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Ta），156A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	86 nC @ 11.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5250 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta），86.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SO-8FL
封装/外壳	8-PowerTDFN

NTMFS4833NST1G

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