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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
描述：MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPB065N15N3GE8187ATMA1，现有足量库存。IPB065N15N3GE8187ATMA1的封装/规格参数为:TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）；同时斯普仑现货为您提供IPB065N15N3GE8187ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPB065N15N3GE8187ATMA1的详细使用方法及教程。
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| IPB065N15N3GE8187ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 3851 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7300 pF @ 75 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
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