BSC883N03MSGATMA1规格参数_bsc883n03msgatma1现货热销【斯普仑】

BSC883N03MSGATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON

7285 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSC883N03MSGATMA1，现有足量库存。BSC883N03MSGATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供BSC883N03MSGATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSC883N03MSGATMA1的详细使用方法及教程。

BSC883N03MSGATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSC883N03MSGATMA1
描述	MOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	7285
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	34 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	19A（Ta），98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3200 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），57W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-1
封装/外壳	8-PowerTDFN

BSC883N03MSGATMA1

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