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NVF2955PT1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

5612 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVF2955PT1G，现有足量库存。NVF2955PT1G的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供NVF2955PT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVF2955PT1G的详细使用方法及教程。

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NVF2955PT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NVF2955PT1G
描述 MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
制造商 onsemi
库存 5612
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 185 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 492 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223（TO-261）
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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