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ECH8419-TL-H

制造商：onsemi

封装外壳：8-SMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH

6465 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的ECH8419-TL-H，现有足量库存。ECH8419-TL-H的封装/规格参数为:8-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供ECH8419-TL-H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ECH8419-TL-H的详细使用方法及教程。

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ECH8419-TL-H产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 ECH8419-TL-H
描述 MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH
制造商 onsemi
库存 6465
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 960 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-ECH
封装/外壳 8-SMD，扁平引线

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