RJK03C1DPB-00#J5规格参数_rjk03c1dpb-00#j5现货热销【斯普仑】

RJK03C1DPB-00#J5

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

4373 现货

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RJK03C1DPB-00#J5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK03C1DPB-00#J5
描述	MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	4373
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6000 pF @ 10 V
FET 功能	肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）	65W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK
封装/外壳	SC-100，SOT-669

RJK03C1DPB-00#J5

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