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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8062-H,LQ(CM，现有足量库存。TPC8062-H,LQ(CM的封装/规格参数为:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TPC8062-H,LQ(CM数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPC8062-H,LQ(CM的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8062-H,LQ(CM，现有足量库存。TPC8062-H,LQ(CM的封装/规格参数为:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TPC8062-H,LQ(CM数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPC8062-H,LQ(CM的详细使用方法及教程。
| TPC8062-H,LQ(CM产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPC8062-H,LQ(CM |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 2020 |
| 系列 | U-MOSVII-H |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
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