欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK65S04K3L(T6L1,NQ，现有足量库存。TK65S04K3L(T6L1,NQ的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供TK65S04K3L(T6L1,NQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK65S04K3L(T6L1,NQ的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK65S04K3L(T6L1,NQ，现有足量库存。TK65S04K3L(T6L1,NQ的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供TK65S04K3L(T6L1,NQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK65S04K3L(T6L1,NQ的详细使用方法及教程。
| TK65S04K3L(T6L1,NQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK65S04K3L(T6L1,NQ |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 4363 |
| 系列 | U-MOSIV |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2800 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 88W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
_SOT226%20Pkg.jpg)
