2SJ649-AZ规格参数_2sj649-az现货热销【斯普仑】

2SJ649-AZ

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：TO-220-3 隔离片

描述：MOSFET P-CH 60V 20A TO220

4370 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的2SJ649-AZ，现有足量库存。2SJ649-AZ的封装/规格参数为:TO-220-3 隔离片；同时斯普仑现货为您提供2SJ649-AZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SJ649-AZ的详细使用方法及教程。

2SJ649-AZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	2SJ649-AZ
描述	MOSFET P-CH 60V 20A TO220
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	4370
系列	-
包装	散装
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	48 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1900 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），25W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220 隔离的标片
封装/外壳	TO-220-3 隔离片

2SJ649-AZ

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