STL160N3LLH6规格参数_stl160n3llh6现货热销【斯普仑】

STL160N3LLH6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT

6610 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL160N3LLH6，现有足量库存。STL160N3LLH6的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL160N3LLH6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL160N3LLH6的详细使用方法及教程。

STL160N3LLH6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL160N3LLH6
描述	MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
制造商	STMicroelectronics
库存	6610
系列	DeepGATE™, STripFET™ VI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.3 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	61.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6375 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	136W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

STL160N3LLH6

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