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IRFH8318TR2PBF

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:8-PowerTDFN

描述:MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

1430 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH8318TR2PBF,现有足量库存。IRFH8318TR2PBF的封装/规格参数为:8-PowerTDFN;同时斯普仑现货为您提供IRFH8318TR2PBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRFH8318TR2PBF的详细使用方法及教程。

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IRFH8318TR2PBF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IRFH8318TR2PBF
描述 MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
制造商 Infineon Technologies
库存 1430
系列 -
包装 剪切带(CT) , Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A(Ta),120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41 nC @ 10 V
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3180 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”