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SIHF8N50L-E3

制造商:Vishay Siliconix

封装外壳:TO-220-3 整包

描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220

4329 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHF8N50L-E3,现有足量库存。SIHF8N50L-E3的封装/规格参数为:TO-220-3 整包;同时斯普仑现货为您提供SIHF8N50L-E3数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIHF8N50L-E3的详细使用方法及教程。

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SIHF8N50L-E3产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIHF8N50L-E3
描述 MOSFET N-CH 500V 8A TO220
制造商 Vishay Siliconix
库存 4329
系列 -
包装 卷带(TR)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34 nC @ 0 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 873 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包

为智能时代加速到来而付出“真芯”