SIE844DF-T1-E3规格参数_sie844df-t1-e3现货热销【斯普仑】

SIE844DF-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：10-PolarPAK®（U）

描述：MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

8073 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIE844DF-T1-E3，现有足量库存。SIE844DF-T1-E3的封装/规格参数为:10-PolarPAK®（U）；同时斯普仑现货为您提供SIE844DF-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIE844DF-T1-E3的详细使用方法及教程。

SIE844DF-T1-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIE844DF-T1-E3
描述	MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	8073
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	44.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7 毫欧 @ 12.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2150 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.2W（Ta），25W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	10-PolarPAK®（U）
封装/外壳	10-PolarPAK®（U）

SIE844DF-T1-E3

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