CSD25303W1015规格参数_csd25303w1015现货热销【斯普仑】

CSD25303W1015

制造商：Texas Instruments

封装外壳：6-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

2759 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD25303W1015，现有足量库存。CSD25303W1015的封装/规格参数为:6-UFBGA，DSBGA；同时斯普仑现货为您提供CSD25303W1015数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD25303W1015的详细使用方法及教程。

CSD25303W1015产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD25303W1015
描述	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
制造商	Texas Instruments
库存	2759
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	58 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	435 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-DSBGA（1x1.5）
封装/外壳	6-UFBGA，DSBGA

CSD25303W1015

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