IRFH5220TRPBF规格参数_irfh5220trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH5220TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-VQFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN

2763 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH5220TRPBF，现有足量库存。IRFH5220TRPBF的封装/规格参数为:8-VQFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IRFH5220TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH5220TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH5220TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH5220TRPBF
描述	MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	2763
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.8A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	99.9 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1380 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（5x6）
封装/外壳	8-VQFN 裸露焊盘

IRFH5220TRPBF

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