IRF6708S2TRPBF规格参数_irf6708s2trpbf现货热销【斯普仑】

IRF6708S2TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等容 S1

描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1

7623 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6708S2TRPBF，现有足量库存。IRF6708S2TRPBF的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 S1；同时斯普仑现货为您提供IRF6708S2TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6708S2TRPBF的详细使用方法及教程。

IRF6708S2TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF6708S2TRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
制造商	Infineon Technologies
库存	7623
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.9 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1010 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），20W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DirectFET™ 等容 S1
封装/外壳	DirectFET™ 等容 S1

IRF6708S2TRPBF

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