AUIRF7738L2TR规格参数_auirf7738l2tr现货热销【斯普仑】

AUIRF7738L2TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等距 L6

描述：MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET

3199 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRF7738L2TR，现有足量库存。AUIRF7738L2TR的封装/规格参数为:DirectFET™ 等距 L6；同时斯普仑现货为您提供AUIRF7738L2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AUIRF7738L2TR的详细使用方法及教程。

AUIRF7738L2TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AUIRF7738L2TR
描述	MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	3199
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Ta），130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.6 毫欧 @ 109A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	194 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7471 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.3W（Ta），94W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DIRECTFET L6
封装/外壳	DirectFET™ 等距 L6

AUIRF7738L2TR

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