AUIRF7665S2TR规格参数_auirf7665s2tr现货热销【斯普仑】

AUIRF7665S2TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等距 SB

描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET

8877 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRF7665S2TR，现有足量库存。AUIRF7665S2TR的封装/规格参数为:DirectFET™ 等距 SB；同时斯普仑现货为您提供AUIRF7665S2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AUIRF7665S2TR的详细使用方法及教程。

AUIRF7665S2TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AUIRF7665S2TR
描述	MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	8877
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.1A（Ta），14.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	62 毫欧 @ 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	515 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.4W（Ta），30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DIRECTFET SB
封装/外壳	DirectFET™ 等距 SB

AUIRF7665S2TR

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