BUK7Y35-55B,115规格参数_buk7y35-55b,115现货热销【斯普仑】

BUK7Y35-55B,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56

1188 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK7Y35-55B,115，现有足量库存。BUK7Y35-55B,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供BUK7Y35-55B,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BUK7Y35-55B,115的详细使用方法及教程。

BUK7Y35-55B,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BUK7Y35-55B,115
描述	MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56
制造商	NXP USA Inc.
库存	1188
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	28.43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	35 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	781 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	60W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669

BUK7Y35-55B,115

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心