IRFHM830TR2PBF规格参数_irfhm830tr2pbf现货热销【斯普仑】

IRFHM830TR2PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-VQFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

4155 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFHM830TR2PBF，现有足量库存。IRFHM830TR2PBF的封装/规格参数为:8-VQFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IRFHM830TR2PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFHM830TR2PBF的详细使用方法及教程。

IRFHM830TR2PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFHM830TR2PBF
描述	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	4155
系列	-
包装	剪切带（CT） , Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2155 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（3x3）
封装/外壳	8-VQFN 裸露焊盘

IRFHM830TR2PBF

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