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FDZ3N513ZT

制造商：onsemi

封装外壳：4-UFBGA，WLCSP

描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP

7529 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDZ3N513ZT，现有足量库存。FDZ3N513ZT的封装/规格参数为:4-UFBGA，WLCSP；同时斯普仑现货为您提供FDZ3N513ZT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDZ3N513ZT的详细使用方法及教程。

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FDZ3N513ZT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDZ3N513ZT
描述 MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
制造商 onsemi
库存 7529
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 462 毫欧 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） +5.5V，-0.3V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 85 pF @ 15 V
FET 功能 肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-WLCSP（0.96x0.96）
封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP

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