SUD45P03-09-GE3规格参数_sud45p03-09-ge3现货热销【斯普仑】

SUD45P03-09-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 30V 45A TO252

3988 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SUD45P03-09-GE3，现有足量库存。SUD45P03-09-GE3的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供SUD45P03-09-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SUD45P03-09-GE3的详细使用方法及教程。

SUD45P03-09-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SUD45P03-09-GE3
描述	MOSFET P-CH 30V 45A TO252
制造商	Vishay Siliconix
库存	3988
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2700 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），41.7W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

SUD45P03-09-GE3

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