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NTD5865N-1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

2348 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTD5865N-1G，现有足量库存。NTD5865N-1G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NTD5865N-1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTD5865N-1G的详细使用方法及教程。

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NTD5865N-1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTD5865N-1G
描述 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
制造商 onsemi
库存 2348
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1261 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 71W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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