IRFSL4229PBF规格参数_irfsl4229pbf现货热销【斯普仑】

IRFSL4229PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 250V 45A TO262

8222 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFSL4229PBF，现有足量库存。IRFSL4229PBF的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供IRFSL4229PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFSL4229PBF的详细使用方法及教程。

IRFSL4229PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFSL4229PBF
描述	MOSFET N-CH 250V 45A TO262
制造商	Infineon Technologies
库存	8222
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	48 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4560 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	330W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-262
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

IRFSL4229PBF

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