IPI023NE7N3 G规格参数_ipi023ne7n3 g现货热销【斯普仑】

IPI023NE7N3 G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

4330 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPI023NE7N3 G，现有足量库存。IPI023NE7N3 G的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供IPI023NE7N3 G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPI023NE7N3 G的详细使用方法及教程。

IPI023NE7N3 G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPI023NE7N3 G
描述	MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
制造商	Infineon Technologies
库存	4330
系列	OptiMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14400 pF @ 37.5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

IPI023NE7N3 G

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