BSZ120P03NS3EGATMA1规格参数_bsz120p03ns3egatma1现货热销【斯普仑】

BSZ120P03NS3EGATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

1692 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSZ120P03NS3EGATMA1，现有足量库存。BSZ120P03NS3EGATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供BSZ120P03NS3EGATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSZ120P03NS3EGATMA1的详细使用方法及教程。

BSZ120P03NS3EGATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSZ120P03NS3EGATMA1
描述	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	1692
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.1V @ 73µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3360 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-8
封装/外壳	8-PowerTDFN

BSZ120P03NS3EGATMA1

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