BSS816NW L6327规格参数_bss816nw l6327现货热销【斯普仑】

BSS816NW L6327

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SC-70，SOT-323

描述：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3

3370 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSS816NW L6327，现有足量库存。BSS816NW L6327的封装/规格参数为:SC-70，SOT-323；同时斯普仑现货为您提供BSS816NW L6327数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSS816NW L6327的详细使用方法及教程。

BSS816NW L6327产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSS816NW L6327
描述	MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
制造商	Infineon Technologies
库存	3370
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	750mV @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.6 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	180 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT323
封装/外壳	SC-70，SOT-323

BSS816NW L6327

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