BSF083N03LQ G规格参数_bsf083n03lq g现货热销【斯普仑】

BSF083N03LQ G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：3-WDSON

描述：MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON

9389 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSF083N03LQ G，现有足量库存。BSF083N03LQ G的封装/规格参数为:3-WDSON；同时斯普仑现货为您提供BSF083N03LQ G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSF083N03LQ G的详细使用方法及教程。

BSF083N03LQ G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSF083N03LQ G
描述	MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	9389
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13A（Ta），53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1800 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.2W（Ta），36W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳	3-WDSON

BSF083N03LQ G

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