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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：8-SMD，扁平引线
描述：MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPCP8103-H(TE85LFM，现有足量库存。TPCP8103-H(TE85LFM的封装/规格参数为:8-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供TPCP8103-H(TE85LFM数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPCP8103-H(TE85LFM的详细使用方法及教程。
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| TPCP8103-H(TE85LFM产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPCP8103-H(TE85LFM |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 8216 |
| 系列 | U-MOSIII-H |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 840mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PS-8（2.9x2.4） |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
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