欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

SSM4K27CTTPL3

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：4-SMD，无引线

描述：MOSFET N-CH 20V 500MA CST4

2988 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM4K27CTTPL3，现有足量库存。SSM4K27CTTPL3的封装/规格参数为:4-SMD，无引线；同时斯普仑现货为您提供SSM4K27CTTPL3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM4K27CTTPL3的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM4K27CTTPL3，现有足量库存。SSM4K27CTTPL3的封装/规格参数为:4-SMD，无引线；同时斯普仑现货为您提供SSM4K27CTTPL3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM4K27CTTPL3的详细使用方法及教程。

SSM4K27CTTPL3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 SSM4K27CTTPL3
描述 MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2988
系列 U-MOSIII
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 205 毫欧 @ 250mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 174 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 CST4（1.2x0.8）
封装/外壳 4-SMD，无引线

猜您喜欢

Toshiba Semiconductor and Storage

G15

Toshiba Semiconductor and Storage

E3M0065090D

Toshiba Semiconductor and Storage

C2M0080170P

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S080B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0080B

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/GFX

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/CX

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN7R6-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK761R5-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN8R5-108ESQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN3R9-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C1R3-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK951R8-40EQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT760EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT200EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C5R3-100EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C3R8-80EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”