DMG3415UFY4-7规格参数_dmg3415ufy4-7现货热销【斯普仑】

DMG3415UFY4-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3

2324 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMG3415UFY4-7，现有足量库存。DMG3415UFY4-7的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMG3415UFY4-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMG3415UFY4-7的详细使用方法及教程。

DMG3415UFY4-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMG3415UFY4-7
描述	MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
制造商	Diodes Incorporated
库存	2324
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	16 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	39 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	281.9 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	400mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN2015H4-3
封装/外壳	3-XFDFN

DMG3415UFY4-7

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