NTLJS4149PTBG规格参数_ntljs4149ptbg现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

2691 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJS4149PTBG，现有足量库存。NTLJS4149PTBG的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供NTLJS4149PTBG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJS4149PTBG的详细使用方法及教程。

NTLJS4149PTBG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLJS4149PTBG
描述	MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
制造商	onsemi
库存	2691
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	62 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	960 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WDFN（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘