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IPP230N06L3 G

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-220-3

描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

4519 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPP230N06L3 G,现有足量库存。IPP230N06L3 G的封装/规格参数为:TO-220-3;同时斯普仑现货为您提供IPP230N06L3 G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPP230N06L3 G的详细使用方法及教程。

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IPP230N06L3 G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPP230N06L3 G
描述 MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
库存 4519
系列 OptiMOS™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1600 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”