欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPI100P03P3L-04，现有足量库存。IPI100P03P3L-04的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供IPI100P03P3L-04数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPI100P03P3L-04的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPI100P03P3L-04，现有足量库存。IPI100P03P3L-04的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供IPI100P03P3L-04数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPI100P03P3L-04的详细使用方法及教程。
| IPI100P03P3L-04产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IPI100P03P3L-04 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 1445 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.3 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 475µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +5V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
_SOT226%20Pkg.jpg)
