IPB12CNE8N G规格参数_ipb12cne8n g现货热销【斯普仑】

IPB12CNE8N G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK

4442 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPB12CNE8N G，现有足量库存。IPB12CNE8N G的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IPB12CNE8N G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPB12CNE8N G的详细使用方法及教程。

IPB12CNE8N G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPB12CNE8N G
描述	MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
制造商	Infineon Technologies
库存	4442
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.9 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4340 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IPB12CNE8N G

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