RDN080N25FU6规格参数_rdn080n25fu6现货热销【斯普仑】

RDN080N25FU6

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

3587 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RDN080N25FU6，现有足量库存。RDN080N25FU6的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供RDN080N25FU6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RDN080N25FU6的详细使用方法及教程。

RDN080N25FU6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RDN080N25FU6
描述	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3587
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	500 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	543 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FN
封装/外壳	TO-220-3 整包

RDN080N25FU6

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