欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
描述：MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8048-H(TE12L,Q)，现有足量库存。TPC8048-H(TE12L,Q)的封装/规格参数为:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TPC8048-H(TE12L,Q)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPC8048-H(TE12L,Q)的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPC8048-H(TE12L,Q)，现有足量库存。TPC8048-H(TE12L,Q)的封装/规格参数为:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TPC8048-H(TE12L,Q)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPC8048-H(TE12L,Q)的详细使用方法及教程。
| TPC8048-H(TE12L,Q)产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPC8048-H(TE12L,Q) |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 5293 |
| 系列 | U-MOSVI-H |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.9 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 87 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7540 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
_SOT226%20Pkg.jpg)
