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2SJ380(F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

2155 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的2SJ380(F)，现有足量库存。2SJ380(F)的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供2SJ380(F)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SJ380(F)的详细使用方法及教程。

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2SJ380(F)产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2SJ380(F)
描述 MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2155
系列 -
包装 管件
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 210 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1100 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220NIS
封装/外壳 TO-220-3 整包

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