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FDPF3860TYDTU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3 全封装，成形引线

描述：MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3

8962 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDPF3860TYDTU，现有足量库存。FDPF3860TYDTU的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，成形引线；同时斯普仑现货为您提供FDPF3860TYDTU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDPF3860TYDTU的详细使用方法及教程。

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FDPF3860TYDTU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDPF3860TYDTU
描述 MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3
制造商 onsemi
库存 8962
系列 PowerTrench®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 38.2 毫欧 @ 5.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1800 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 33.8W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3（Y 型）
封装/外壳 TO-220-3 全封装，成形引线

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