IRF6100PBF规格参数_irf6100pbf现货热销【斯普仑】

IRF6100PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：4-FlipFet™

描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET

4671 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6100PBF，现有足量库存。IRF6100PBF的封装/规格参数为:4-FlipFet™；同时斯普仑现货为您提供IRF6100PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6100PBF的详细使用方法及教程。

IRF6100PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF6100PBF
描述	MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
制造商	Infineon Technologies
库存	4671
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1230 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	4-FlipFet™
封装/外壳	4-FlipFet™

IRF6100PBF

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